레프 크라프첸코(Лев Крапченко)는 러시아의 물리학자이자 전자공학자로, 주로 전자기학과 반도체 물리학 분야에서 중요한 업적을 남긴 인물이다. 그는 1932년에 태어나 2000년대 초반까지 활발히 연구 활동을 이어갔다. 크라프첸코는 특히 반도체 소자의 특성과 전자 이동도에 관한 연구로 알려져 있으며, 그의 연구는 현대 전자기기 개발에 기초가 되는 이론적 기반을 제공했다.

그의 학문적 경력은 모스크바국립대학교에서 시작되었다. 크라프첸코는 졸업 후 생물물리학 연구소에서 연구자로 일하며 반도체의 전기적 특성을 실험하고 이론화하는 데 집중했다. 이후 그는 여러 국제 학술지에 다수의 논문을 발표하며 학계에서의 입지를 굳혔다. 그의 연구는 세계 여러 나라에서 인정받아 국제 학술 대회에서 초청 강연을 수행하기도 했다.

크라프첸코의 연구 결과는 반도체 산업의 발전에 큰 기여를 했다. 특히 그는 반도체 재료의 전기적 특성을 이해하는 데 중요한 발전을 이루어냈으며, 이로 인해 다양한 전자기기, 특히 트랜지스터와 다이오드의 성능 향상에 기여하였다. 그는 또한 반도체 생산 기술에 대한 혁신적인 접근 방식을 제안하며 산업계에서도 높은 평가를 받았다.

레프 크라프첸코는 그의 연구 외에도 후학 양성에도 많은 힘을 쏟았다. 그는 대학에서 교수로 재직하며 차세대 과학자들에게 전자기학과 반도체 물리학의 중요성을 강조하고, 그들의 연구를 적극적으로 지원했다. 그의 교육 방식은 이론과 실험이 결합된 실용적인 접근을 중시하였으며, 이는 많은 학생들에게 영감을 주었다. 크라프첸코는 학문과 교육에 대한 헌신으로 인해 오래도록 기억될 인물이 되었다.