도핑(반도체)은 반도체의 전기적 성질을 제어하기 위해 불순물을 첨가하는 과정을 의미한다. 반도체는 본래 전기 전도도가 낮지만, 도핑을 통해 전도도를 증가시킬 수 있다. 이를 위해 도펀트라 불리는 불순물을 선택적으로 첨가하는데, 일반적으로 그룹 IIIA나 그룹 VA 원소들이 사용된다. 도핑에 따라 반도체의 유형은 주로 n형과 p형으로 나뉜다. n형 반도체는 전자의 농도가 높아지는 반면, p형 반도체는 정공(전자홀)의 농도가 증가한다.

n형 반도체는 주로 인(doped phosphorus)이나 비소(arsenic)와 같은 원소로 도핑되어 전자를 추가한다. 이러한 원소들은 실리콘보다 많은 원자 궤도를 가지고 있으며, 자유 전자를 제공함으로써 전도도를 높인다. n형 반도체에서는 전자가 주요 이동 캐리어이고, 이는 전기적 신호를 전달하는 데 필수적인 역할을 한다.

p형 반도체는 보통 붕소(boron)와 같은 원소로 도핑되어 정공을 생성한다. 붕소는 실리콘보다 원자 궤도가 하나 적어 전자를 하나 잃어버리게 되며, 이로 인해 정공이 발생한다. 정공은 전자가 부족한 위치로, 실제로 전기의 흐름을 생성하는데 기여한다. p형 반도체에서는 정공이 주요 이동 캐리어가 되어 전기적 신호 전송 과정에 중요한 역할을 한다.

도핑은 반도체 소자의 성능을 향상시키는 데 필수적인 기술로, 트랜지스터, 다이오드, 태양광 전지 등 다양한 전자기기에서 핵심적인 역할을 한다. 도핑의 정확성과 균일성은 반도체 소자의 최종 성능과 신뢰성에 큰 영향을 미치며, 이를 위해 고급 기술과 정밀한 공정이 필요하다. 이 과정은 반도체 산업의 발전과 함께 더욱 복잡하고 정교해지고 있으며, 새로운 도핑 기술과 방법들이 계속해서 연구되고 있다.