대역의 암흑(Band gap)은 물리학과 재료 과학에서 중요한 개념으로, 주로 반도체와 절연체의 전자 구조 특징을 설명하는 데 사용된다. 대역의 암흑은 전도대와 가전자대 사이의 에너지 차이를 의미하며, 이 에너지 범위 내에는 전자가 존재할 수 없는 상태를 나타낸다.

대역의 암흑은 두 가지 주요 유형으로 구분된다. 첫 번째는 넓은 대역의 암흑(wide band gap)으로, 이는 전도대와 가전자대 사이의 에너지가 크고, 일반적으로 전기가 잘 흐르지 않는 절연체에서 나타난다. 두 번째는 좁은 대역의 암흑(narrow band gap)으로, 이는 상대적으로 작은 에너지를 가지며, 전기가 흐를 수 있는 반도체의 특성을 갖는다.

대역의 암흑은 물질의 전기적, 광학적, 열적 특성에 큰 영향을 미친다. 예를 들어, 대역의 암흑이 좁은 반도체는 온도에 따라 전도성을 변화시킬 수 있으며, 이는 전자 소자에서 응용된다. 또한, 대역의 암흑은 반도체의 발생 주파수, 발광 특성과도 밀접한 관계가 있다.

대역의 암흑에 대한 이해는 반도체 소자, 태양 전지, LED와 같은 다양한 전자 및 광전자 장치의 효율성을 향상시키는 데 필수적이다. 이러한 이유로 대역의 암흑은 재료 과학과 전자 공학 분야에서 중요한 연구 대상이 되고 있다.